对比图
型号 SI7308DN-T1-E3 SI7308DN-T1-GE3
描述 VISHAY SI7308DN-T1-E3 晶体管, MOSFET, 沟槽式FET, N沟道, 6 A, 60 V, 0.046 ohm, 10 V, 3 V 新VISHAY SI7308DN-T1-GE3 场效应管, MOSFET, N沟道, 60V, 6A, POWERPAK
数据手册 --
制造商 Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世)
分类 MOS管MOS管
引脚数 8 8
封装 PowerPAK-1212-8 1212
针脚数 8 8
漏源极电阻 0.072 Ω 0.072 Ω
极性 N-Channel N-Channel
耗散功率 3.2 W 3.2 W
阈值电压 3 V 3 V
漏源极电压(Vds) 60 V 60 V
连续漏极电流(Ids) 6.00 A 6.00 A
输入电容(Ciss) 665pF @15V(Vds) -
下降时间 10 ns 10 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -
耗散功率(Max) 3200 mW -
长度 3.3 mm -
宽度 3.3 mm -
高度 1.04 mm -
封装 PowerPAK-1212-8 1212
工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃
包装方式 Tape & Reel (TR) -
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free
ECCN代码 EAR99 -