VISHAY SI7415DN-T1-E3 晶体管, MOSFET, P沟道, -3.6 A, -60 V, 54 mohm, -10 V, -3 V
The is a 60VDS TrenchFET® P-channel enhancement-mode Power MOSFET suitable for load switch, half-bridge motor drive and high voltage non-synchronous buck converters applications.
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- Fast switching
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- -55 to 150°C Operating temperature range
艾睿:
Trans MOSFET P-CH 60V 3.6A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
富昌:
单 P 沟道 60 V 0.065 Ohms 表面贴装 功率 Mosfet - PowerPAK-1212-8
Verical:
Trans MOSFET P-CH 60V 3.6A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
Newark:
# VISHAY SI7415DN-T1-E3 MOSFET Transistor, P Channel, -3.6 A, -60 V, 54 mohm, -10 V, -3 V
针脚数 8
漏源极电阻 0.054 Ω
极性 P-Channel
耗散功率 1.5 W
上升时间 12 ns
下降时间 16 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1500 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 1212
长度 3.15 mm
高度 1.07 mm
封装 1212
工作温度 -55℃ ~ 150℃
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Power Management, Industrial
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
SI7415DN-T1-E3 Vishay Semiconductor 威世 | 当前型号 | 当前型号 |
SI7415DN-T1-GE3 威世 | 完全替代 | SI7415DN-T1-E3和SI7415DN-T1-GE3的区别 |