对比图
型号 SI7415DN-T1-E3 SI7415DN-T1-GE3
描述 VISHAY SI7415DN-T1-E3 晶体管, MOSFET, P沟道, -3.6 A, -60 V, 54 mohm, -10 V, -3 VVISHAY SI7415DN-T1-GE3 场效应管, MOSFET, P沟道, -60V, 5.7A, POWERPAK
数据手册 --
制造商 Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount -
引脚数 8 8
封装 1212 PowerPAK-1212-8
针脚数 8 8
漏源极电阻 0.054 Ω 0.054 Ω
极性 P-Channel P-Channel
耗散功率 1.5 W 1.5 W
上升时间 12 ns 12 ns
下降时间 16 ns 16 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -
耗散功率(Max) 1500 mW -
漏源极电压(Vds) - 60 V
连续漏极电流(Ids) - -5.70 A
长度 3.15 mm 3.3 mm
高度 1.07 mm 1.04 mm
封装 1212 PowerPAK-1212-8
宽度 - 3.3 mm
工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15 -