SI7386DP-T1-GE3

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SI7386DP-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数

针脚数 8

漏源极电阻 0.0058 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 1.8 W

阈值电压 2.5 V

漏源极电压Vds 30 V

连续漏极电流Ids 19.0 A

工作温度Max 150 ℃

封装参数

引脚数 8

封装 PowerPAK SO

外形尺寸

封装 PowerPAK SO

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SI7386DP-T1-GE3
型号: SI7386DP-T1-GE3
描述:VISHAY  SI7386DP-T1-GE3  场效应管, MOSFET, N沟道, 30V, 19A, SOIC
替代型号SI7386DP-T1-GE3
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