








VISHAY SI4459ADY-T1-GE3 晶体管, MOSFET, P沟道, -29 A, -30 V, 3.9 mohm, -10 V, -2.5 V
The is a -30V P-channel TrenchFET® Power MOSFET. The surface-mounted LITTLE FOOT® power MOSFET uses integrated circuit and small-signal packages which have been modified to provide the heat transfer capabilities required by power devices.
贸泽:
MOSFET 30V 29A 7.8W 5.0mohm @ 10V
e络盟:
VISHAY SI4459ADY-T1-GE3 晶体管, MOSFET, P沟道, -29 A, -30 V, 3.9 mohm, -10 V, -2.5 V
艾睿:
Trans MOSFET P-CH 30V 19.7A 8-Pin SOIC N T/R
富昌:
单 P 沟道 30 V 0.005 Ohm 表面贴装 功率 Mosfet - SOIC-8
Verical:
Trans MOSFET P-CH 30V 19.7A 8-Pin SOIC N T/R
Newark:
# VISHAY SI4459ADY-T1-GE3 MOSFET Transistor, P Channel, -29 A, -30 V, 3.9 mohm, -10 V, -2.5 V
儒卓力:
**P-CH -30V -29A 50mOhm SO-8 **
针脚数 8
漏源极电阻 0.0039 Ω
极性 P-Channel
耗散功率 3.5 W
漏源极电压Vds -30.0 V
连续漏极电流Ids -29.0 A
输入电容Ciss 6000pF @15VVds
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 3500 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
高度 1.5 mm
封装 SOIC-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 电源管理, Power Management, 消费电子产品, Consumer Electronics
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
SI4459ADY-T1-GE3 Vishay Semiconductor 威世 | 当前型号 | 当前型号 |
SI4413ADY-T1-E3 威世 | 功能相似 | SI4459ADY-T1-GE3和SI4413ADY-T1-E3的区别 |