SI4459ADY-T1-GE3

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SI4459ADY-T1-GE3概述

VISHAY  SI4459ADY-T1-GE3  晶体管, MOSFET, P沟道, -29 A, -30 V, 3.9 mohm, -10 V, -2.5 V

The is a -30V P-channel TrenchFET® Power MOSFET. The surface-mounted LITTLE FOOT® power MOSFET uses integrated circuit and small-signal packages which have been modified to provide the heat transfer capabilities required by power devices.

.
Halogen-free according to IEC 61249-2-21 definition

贸泽:
MOSFET 30V 29A 7.8W 5.0mohm @ 10V


e络盟:
VISHAY  SI4459ADY-T1-GE3  晶体管, MOSFET, P沟道, -29 A, -30 V, 3.9 mohm, -10 V, -2.5 V


艾睿:
Trans MOSFET P-CH 30V 19.7A 8-Pin SOIC N T/R


富昌:
单 P 沟道 30 V 0.005 Ohm 表面贴装 功率 Mosfet - SOIC-8


Verical:
Trans MOSFET P-CH 30V 19.7A 8-Pin SOIC N T/R


Newark:
# VISHAY  SI4459ADY-T1-GE3  MOSFET Transistor, P Channel, -29 A, -30 V, 3.9 mohm, -10 V, -2.5 V


儒卓力:
**P-CH -30V -29A 50mOhm SO-8 **


SI4459ADY-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数

针脚数 8

漏源极电阻 0.0039 Ω

极性 P-Channel

耗散功率 3.5 W

漏源极电压Vds -30.0 V

连续漏极电流Ids -29.0 A

输入电容Ciss 6000pF @15VVds

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 3500 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

高度 1.5 mm

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 电源管理, Power Management, 消费电子产品, Consumer Electronics

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买SI4459ADY-T1-GE3
型号: SI4459ADY-T1-GE3
描述:VISHAY  SI4459ADY-T1-GE3  晶体管, MOSFET, P沟道, -29 A, -30 V, 3.9 mohm, -10 V, -2.5 V
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