SI4628DY-T1-GE3

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SI4628DY-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数

针脚数 8

漏源极电阻 2.4 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 7.8 W

阈值电压 1 V

漏源极电压Vds 30 V

连续漏极电流Ids 38.0 mA

上升时间 20 ns

下降时间 13 ns

工作温度Max 150 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC

外形尺寸

封装 SOIC

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

数据手册

在线购买SI4628DY-T1-GE3
型号: SI4628DY-T1-GE3
描述:VISHAY  SI4628DY-T1-GE3  晶体管, MOSFET, N沟道, 38 A, 30 V, 2.4 mohm, 10 V, 1 V
替代型号SI4628DY-T1-GE3
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