对比图
型号 SI4628DY-T1-GE3 SI4752DY-T1-GE3
描述 VISHAY SI4628DY-T1-GE3 晶体管, MOSFET, N沟道, 38 A, 30 V, 2.4 mohm, 10 V, 1 VVISHAY SI4752DY-T1-GE3 晶体管, MOSFET, N沟道, 25 A, 30 V, 4500 µohm, 10 V, 1 V
数据手册 --
制造商 Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount
引脚数 8 8
封装 SOIC SOIC
针脚数 8 8
漏源极电阻 2.4 mΩ 0.0045 Ω
极性 N-Channel N-Channel
耗散功率 7.8 W 3 W
阈值电压 1 V 1 V
漏源极电压(Vds) 30 V 30 V
连续漏极电流(Ids) 38.0 mA -
上升时间 20 ns -
下降时间 13 ns -
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃
封装 SOIC SOIC
工作温度 -55℃ ~ 150℃ -
包装方式 Tape & Reel (TR) -
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free -
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 - 2015/06/15