SI7615DN-T1-GE3

SI7615DN-T1-GE3图片1
SI7615DN-T1-GE3图片2
SI7615DN-T1-GE3图片3
SI7615DN-T1-GE3图片4
SI7615DN-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数

漏源极电阻 0.0055 Ω

极性 P-Channel

耗散功率 52 W

漏源极电压Vds -20.0 V

连续漏极电流Ids -35.0 A

工作温度Max 150 ℃

封装参数

引脚数 8

封装 PowerPAK-1212-8

外形尺寸

长度 3.3 mm

宽度 3.3 mm

高度 1.04 mm

封装 PowerPAK-1212-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SI7615DN-T1-GE3
型号: SI7615DN-T1-GE3
描述:P沟道 20 V 3.9 mΩ 183 nC 表面贴装 功率 Mosfet - PowerPAK-1212-8

 锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台  

 深圳锐单电子有限公司