SIR492DP-T1-GE3

SIR492DP-T1-GE3图片1
SIR492DP-T1-GE3图片2
SIR492DP-T1-GE3图片3
SIR492DP-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数

针脚数 8

漏源极电阻 0.0047 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 4.2 W

阈值电压 1 V

漏源极电压Vds 12 V

连续漏极电流Ids 40.0 A

工作温度Max 150 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC

外形尺寸

封装 SOIC

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SIR492DP-T1-GE3
型号: SIR492DP-T1-GE3
描述:VISHAY  SIR492DP-T1-GE3  场效应管, MOSFET, N通道, 12V, 40A, SOIC, 整卷
替代型号SIR492DP-T1-GE3
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

SIR492DP-T1-GE3

Vishay Semiconductor 威世

当前型号

当前型号

SI7882DP-T1-GE3

威世

类似代替

SIR492DP-T1-GE3和SI7882DP-T1-GE3的区别

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台