SI7898DP-T1-E3

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SI7898DP-T1-E3概述

VISHAY  SI7898DP-T1-E3  晶体管, MOSFET, 沟槽式FET, N沟道, 3 A, 150 V, 0.068 ohm, 10 V, 4 V 新

**Features:

* **Halogen-Free Option Available

* Low-Side Switching

* Low On-Resistance: 5 Ω

* Low Threshold: 0.9 V Typ.

* Fast Switching Speed: 35 ns Typ.

* TrenchFET® Power MOSFETs: 1.5 V Rated

* ESD Protected: 2000 V

**Applications:

**

* Drivers: Relays, Solenoids, Lamps, Hammers, Displays, Memories

* Battery Operated Systems

* Power Supply Converter Circuits

* Load/Power Switching Cell Phones, Pagers


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 150V 3A 8-Pin PowerPAK SO T/R


安富利:
Trans MOSFET N-CH 150V 3A 8-Pin PowerPAK SO T/R


富昌:
单 N 沟道 150 V 0.085 Ohms 表面贴装 功率 Mosfet - PowerPAK-SO-8


Verical:
Trans MOSFET N-CH 150V 3A 8-Pin PowerPAK SO T/R


Newark:
# VISHAY  SI7898DP-T1-E3  MOSFET Transistor, N Channel, 4.8 A, 150 V, 95 mohm, 20 V, 4 V


SI7898DP-T1-E3中文资料参数规格
技术参数

针脚数 8

漏源极电阻 0.095 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 5 W

阈值电压 4 V

漏源极电压Vds 150 V

上升时间 10 ns

下降时间 17 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

长度 5.99 mm

高度 1.07 mm

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SI7898DP-T1-E3
型号: SI7898DP-T1-E3
描述:VISHAY  SI7898DP-T1-E3  晶体管, MOSFET, 沟槽式FET, N沟道, 3 A, 150 V, 0.068 ohm, 10 V, 4 V 新
替代型号SI7898DP-T1-E3
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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