对比图
型号 SI7898DP-T1-E3 SI7898DP-T1-GE3 IRFH5215TRPBF
描述 VISHAY SI7898DP-T1-E3 晶体管, MOSFET, 沟槽式FET, N沟道, 3 A, 150 V, 0.068 ohm, 10 V, 4 V 新VISHAY SI7898DP-T1-GE3 晶体管, MOSFET, N沟道, 3 A, 150 V, 68 mohm, 10 V, 2 VINFINEON IRFH5215TRPBF 场效应管, MOSFET, N沟道, 150V, 5A, 8-PQFN
数据手册 ---
制造商 Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 8 8 8
封装 SOIC-8 SOIC VQFN-8
针脚数 8 8 8
漏源极电阻 0.095 Ω 0.068 Ω 0.0455 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 5 W 1.9 W 3.6 W
阈值电压 4 V 2 V 5 V
漏源极电压(Vds) 150 V 150 V 150 V
连续漏极电流(Ids) - 3.00 A 5A
上升时间 10 ns 10 ns 6.3 ns
下降时间 17 ns 17 ns 2.9 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ 55 ℃
耗散功率(Max) - 1900 mW 3.6W (Ta), 104W (Tc)
额定功率 - - 3.6 W
通道数 - - 1
产品系列 - - IRFH5215
漏源击穿电压 - - 150 V
输入电容(Ciss) - - 1350pF @50V(Vds)
高度 1.07 mm 1.04 mm 0.83 mm
封装 SOIC-8 SOIC VQFN-8
长度 5.99 mm - 6 mm
宽度 - - 5 mm
工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ)
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
产品生命周期 - - Active
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC -