SI7852DP-T1-E3概述
VISHAY SI7852DP-T1-E3 晶体管, MOSFET, N沟道, 7.6 A, 80 V, 0.0135 ohm, 10 V, 2 V
The is a 80VDS TrenchFET® N-channel enhancement-mode Power MOSFET suitable for primary side switch applications.
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- New low thermal resistance PowerPAK® package with small size and low 1.07mm profile
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- PWM optimized
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- Fast switching
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- 100% Rg tested
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- -55 to 150°C Operating temperature range
SI7852DP-T1-E3中文资料参数规格
技术参数
针脚数 8
漏源极电阻 0.0135 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 1.9 W
阈值电压 2 V
漏源极电压Vds 80 V
漏源击穿电压 80.0 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 12.5 A
上升时间 11 ns
下降时间 31 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SO-8
外形尺寸
长度 5.99 mm
高度 1.07 mm
封装 SO-8
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
其他
包装方式 Cut Tape CT
制造应用 Power Management, Industrial
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
在线购买SI7852DP-T1-E3
型号： SI7852DP-T1-E3
描述：VISHAY SI7852DP-T1-E3 晶体管, MOSFET, N沟道, 7.6 A, 80 V, 0.0135 ohm, 10 V, 2 V