漏源极电阻 0.0114 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 5 W
阈值电压 1.2 V
漏源极电压Vds 100 V
工作温度Max 150 ℃
引脚数 8
RoHS标准 RoHS Compliant
数据手册
SIR878DP-T1-GE3
Vishay Semiconductor 威世
当前型号
BSC123N10LSGATMA1
英飞凌
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