SIR878DP-T1-GE3

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SIR878DP-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数

漏源极电阻 0.0114 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 5 W

阈值电压 1.2 V

漏源极电压Vds 100 V

工作温度Max 150 ℃

封装参数

引脚数 8

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

数据手册

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型号: SIR878DP-T1-GE3
描述:N沟道100 V( D- S)的MOSFET N-Channel 100 V D-S MOSFET
替代型号SIR878DP-T1-GE3
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