对比图
型号 BSC123N10LSGATMA1 SIR878DP-T1-GE3
描述 INFINEON BSC123N10LSGATMA1 晶体管, MOSFET, N沟道, 71 A, 100 V, 10 mohm, 10 V, 1.85 VN沟道100 V（ D- S）的MOSFET N-Channel 100 V (D-S) MOSFET
数据手册 --
制造商 Infineon (英飞凌) Vishay Semiconductor (威世)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount -
引脚数 8 8
封装 PG-TDSON-8 -
额定功率 114 W -
针脚数 8 -
漏源极电阻 0.01 Ω 0.0114 Ω
极性 N-Channel N-Channel
耗散功率 114 W 5 W
阈值电压 1.85 V 1.2 V
漏源极电压(Vds) 100 V 100 V
连续漏极电流(Ids) 10.6A -
上升时间 25 ns -
输入电容(Ciss) 3700pF @50V(Vds) -
下降时间 7 ns -
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -
耗散功率(Max) 114W (Tc) -
长度 5.35 mm -
宽度 6.1 mm -
高度 1.1 mm -
封装 PG-TDSON-8 -
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -
产品生命周期 Active -
包装方式 Tape & Reel (TR) -
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free -
REACH SVHC标准 No SVHC -
REACH SVHC版本 2015/12/17 -