SIR440DP-T1-GE3

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SIR440DP-T1-GE3概述

VISHAY  SIR440DP-T1-GE3  场效应管, MOSFET, N通道, 20V, 60A POWERPAK, 整卷

The is a 20VDS TrenchFET® N-channel enhancement-mode Power MOSFET suitable for fixed telecom, high current DC-to-DC and O-ring applications.

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100% Rg tested
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100% UIS tested
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Halogen-free
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-55 to 150°C Operating temperature range
SIR440DP-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数

针脚数 8

漏源极电阻 0.00125 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 104 W

阈值电压 2.5 V

漏源极电压Vds 20 V

连续漏极电流Ids 60.0 A

工作温度Max 150 ℃

封装参数

引脚数 8

封装 PowerPAK SO

外形尺寸

封装 PowerPAK SO

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Power Management, Industrial, Communications & Networking

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

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型号: SIR440DP-T1-GE3
描述:VISHAY  SIR440DP-T1-GE3  场效应管, MOSFET, N通道, 20V, 60A POWERPAK, 整卷

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