SI7174DP-T1-GE3参数规格_中文资料_数据手册PDF

SI7174DP-T1-GE3中文资料参数规格

技术参数

针脚数 8

漏源极电阻 0.007 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 6.25 W

阈值电压 4.5 V

漏源极电压Vds 75 V

连续漏极电流Ids 60.0 A

工作温度Max 150 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 PowerPAK SO

外形尺寸

封装 PowerPAK SO

其他

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

数据手册

在线购买SI7174DP-T1-GE3

型号： SI7174DP-T1-GE3

描述：VISHAY SI7174DP-T1-GE3 场效应管, MOSFET, N沟道, 75V, 60A, SOIC-8

替代型号SI7174DP-T1-GE3

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
SI7174DP-T1-GE3 Vishay Semiconductor 威世	当前型号	当前型号
IRFH5007TRPBF 英飞凌	功能相似	SI7174DP-T1-GE3和IRFH5007TRPBF的区别

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SI7174DP-T1-GE3

Vishay Semiconductor 威世

当前型号

IRFH5007TRPBF

英飞凌

功能相似