IRFH5007TRPBF和SI7174DP-T1-GE3

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRFH5007TRPBF SI7174DP-T1-GE3 IRFH5007TR2PBF

描述 INFINEON  IRFH5007TRPBF  场效应管, MOSFET, N沟道, 100A, 75V, 3.6WVISHAY  SI7174DP-T1-GE3  场效应管, MOSFET, N沟道, 75V, 60A, SOIC-8INFINEON  IRFH5007TR2PBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 17 A, 75 V, 5.1 mohm, 10 V, 4 V

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Vishay Semiconductor (威世) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 PowerVDFN-8 PowerPAK SO PowerVDFN-8

针脚数 8 8 8

漏源极电阻 5.1 mΩ 0.007 Ω 0.0051 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-CH

耗散功率 3.6 W 6.25 W 250 W

阈值电压 4 V 4.5 V 4 V

漏源极电压(Vds) 75 V 75 V 75 V

连续漏极电流(Ids) 100 A 60.0 A 17A

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

上升时间 14 ns - 14 ns

输入电容(Ciss) 4290pF @25V(Vds) - 4290pF @25V(Vds)

下降时间 11 ns - 11 ns

工作温度(Min) 55 ℃ - -55 ℃

耗散功率(Max) 3.6W (Ta), 156W (Tc) - 3.6W (Ta), 156W (Tc)

额定功率 250 W - -

通道数 1 - -

产品系列 IRFH5007 - -

漏源击穿电压 75 V - -

封装 PowerVDFN-8 PowerPAK SO PowerVDFN-8

长度 6 mm - 6 mm

宽度 5 mm - 5 mm

高度 0.83 mm - 0.9 mm

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

产品生命周期 Active - Obsolete

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) - -55℃ ~ 150℃ (TJ)

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