SIHP25N40D-GE3

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SIHP25N40D-GE3中文资料参数规格
技术参数

漏源极电阻 0.14 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 278 W

阈值电压 3 V

漏源极电压Vds 400 V

输入电容Ciss 1707pF @100VVds

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 278 W

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10.51 mm

宽度 4.65 mm

高度 9.01 mm

封装 TO-220-3

其他

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

数据手册

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型号: SIHP25N40D-GE3
描述:N 通道 MOSFET,D 系列高电压,Vishay Semiconductor ### MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor
替代型号SIHP25N40D-GE3
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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