FDP26N40和SIHP25N40D-GE3

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 FDP26N40 SIHP25N40D-GE3 SIHP25N40D-E3

描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDP26N40  晶体管, MOSFET, N沟道, 26 A, 400 V, 0.13 ohm, 10 V, 3 VN 通道 MOSFET,D 系列高电压,Vishay Semiconductor### MOSFET 晶体管,Vishay SemiconductorMOSFET N-CH 400V 25A TO-220AB

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Vishay Semiconductor (威世) Vishay Siliconix

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

针脚数 3 - -

漏源极电阻 0.13 Ω 0.14 Ω 0.17 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 265 W 278 W 278 W

阈值电压 3 V 3 V 5 V

漏源极电压(Vds) 400 V 400 V 400 V

连续漏极电流(Ids) 26A - -

上升时间 100 ns - 57 ns

输入电容(Ciss) 3185pF @25V(Vds) 1707pF @100V(Vds) 1707pF @100V(Vds)

额定功率(Max) 265 W - -

下降时间 66 ns - 37 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ 55 ℃

耗散功率(Max) 265W (Tc) 278 W 278W (Tc)

通道数 - - 1

漏源击穿电压 - - 400 V

长度 10.1 mm 10.51 mm -

宽度 4.7 mm 4.65 mm -

高度 15.38 mm 9.01 mm -

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) - -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active - Active

包装方式 Tube Bulk Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free - 无铅

REACH SVHC标准 No SVHC - -

REACH SVHC版本 2015/06/15 - -

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