SIHG25N50E-GE3

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SIHG25N50E-GE3中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

漏源极电阻 0.145 Ω

耗散功率 250 W

阈值电压 4 V

漏源击穿电压 500 V

上升时间 36 ns

下降时间 29 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 55 ℃

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-220-3

外形尺寸

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

数据手册

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型号: SIHG25N50E-GE3
描述:Trans MOSFET N-CH 500V 26A 3Pin TO-247AC

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