SI2334DS-T1-GE3

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SI2334DS-T1-GE3概述

VISHAY  SI2334DS-T1-GE3  晶体管, MOSFET, N沟道, 4.9 A, 30 V, 0.035 ohm, 4.5 V, 400 mV

The is a 30VDS TrenchFET® N-channel enhancement-mode Power MOSFET suitable for load switch and DC-to-DC converter applications.

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100% Rg tested
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-55 to 150°C Operating temperature range
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Halogen-free

e络盟:
# VISHAY  SI2334DS-T1-GE3  晶体管, MOSFET, N沟道, 4.9 A, 30 V, 0.035 ohm, 4.5 V, 400 mV


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 30V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R


SI2334DS-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

漏源极电阻 0.035 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 1.3 W

阈值电压 400 mV

漏源极电压Vds 30 V

工作温度Max 150 ℃

封装参数

引脚数 3

封装 SOT-23

外形尺寸

封装 SOT-23

其他

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Industrial, Power Management, Portable Devices

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

数据手册

在线购买SI2334DS-T1-GE3
型号: SI2334DS-T1-GE3
描述:VISHAY  SI2334DS-T1-GE3  晶体管, MOSFET, N沟道, 4.9 A, 30 V, 0.035 ohm, 4.5 V, 400 mV

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