SI7898DP-T1-GE3参数规格_中文资料_数据手册PDF

SI7898DP-T1-GE3概述

VISHAY SI7898DP-T1-GE3 晶体管, MOSFET, N沟道, 3 A, 150 V, 68 mohm, 10 V, 2 V

The is a 150VDS TrenchFET® N-channel enhancement-mode Power MOSFET suitable for DC-to-DC power supply primary side switch and industrial motor driver applications.

.: New low thermal resistance PowerPAK® package with small size and low 1.07mm profile

.: PWM optimized

.: Fast switching

.: 100% Rg tested

.: Halogen-free

.: -55 to 150°C Operating temperature range

SI7898DP-T1-GE3中文资料参数规格

技术参数

针脚数 8

漏源极电阻 0.068 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 1.9 W

阈值电压 2 V

漏源极电压Vds 150 V

连续漏极电流Ids 3.00 A

上升时间 10 ns

下降时间 17 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 1900 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC

外形尺寸

高度 1.04 mm

封装 SOIC

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Power Management, Industrial

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

数据手册

在线购买SI7898DP-T1-GE3

型号： SI7898DP-T1-GE3

制造商： Vishay Semiconductor 威世

描述：VISHAY SI7898DP-T1-GE3 晶体管, MOSFET, N沟道, 3 A, 150 V, 68 mohm, 10 V, 2 V

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