SI7137DP-T1-GE3

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SI7137DP-T1-GE3概述

VISHAY  SI7137DP-T1-GE3  晶体管, MOSFET, P沟道, -60 A, -20 V, 0.0016 ohm, -10 V, -1.4 V

The is a -20V P-channel TrenchFET® Gen III Power MOSFET used in adapter switch, battery and load switch applications.

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Halogen-free according to IEC 61249-2-21 definition
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100% Rg Tested
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100% UIS Tested

艾睿:
Trans MOSFET P-CH 20V 42A 8-Pin PowerPAK SO T/R


安富利:
Trans MOSFET P-CH 20V 42A 8-Pin PowerPAK SO T/R


富昌:
单 P沟道 200 V 1.95 mOhms 表面贴装 功率Mosfet - PowerPAK SO-8


Verical:
Trans MOSFET P-CH 20V 42A 8-Pin PowerPAK SO T/R


Newark:
# VISHAY  SI7137DP-T1-GE3  MOSFET Transistor, P Channel, -60 A, -20 V, 0.0016 ohm, -4.5 V, -1.4 V


力源芯城:
-20V,-60A,P沟道功率MOSFET


SI7137DP-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数

针脚数 8

漏源极电阻 0.0016 Ω

极性 P-Channel

耗散功率 104 W

漏源极电压Vds -20.0 V

连续漏极电流Ids -60.0 A

工作温度Max 150 ℃

封装参数

引脚数 8

封装 PowerPAK SO

外形尺寸

封装 PowerPAK SO

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

数据手册

在线购买SI7137DP-T1-GE3
型号: SI7137DP-T1-GE3
描述:VISHAY  SI7137DP-T1-GE3  晶体管, MOSFET, P沟道, -60 A, -20 V, 0.0016 ohm, -10 V, -1.4 V

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