Trans MOSFET N-CH 30V 15A 8Pin SOIC N T/R
**Features:
* **Halogen-Free Option Available
* Low-Side Switching
* Low On-Resistance: 5 Ω
* Low Threshold: 0.9 V Typ.
* Fast Switching Speed: 35 ns Typ.
* TrenchFET® Power MOSFETs: 1.5 V Rated
* ESD Protected: 2000 V
**Applications:
**
* Drivers: Relays, Solenoids, Lamps, Hammers, Displays, Memories
* Battery Operated Systems
* Power Supply Converter Circuits
* Load/Power Switching Cell Phones, Pagers
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 30V 15A 8-Pin SOIC N T/R
富昌:
单 N 沟道 30 V 0.0045 Ohms 表面贴装 功率 Mosfet - SOIC-8
Verical:
SI4442DY-T1-E3
Newark:
# VISHAY SI4442DY-T1-E3 MOSFET Transistor, N Channel, 22 A, 30 V, 0.0035 ohm, 4.5 V, 600 mV
漏源极电阻 0.0035 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 3.5 W
阈值电压 1.5 V
漏源极电压Vds 30 V
漏源击穿电压 30.0 V
栅源击穿电压 ±12.0 V
连续漏极电流Ids 22.0 A
上升时间 11 ns
下降时间 47 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1600 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
长度 5 mm
高度 1.55 mm
封装 SOIC-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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SI4442DY-T1-E3 Vishay Semiconductor 威世 | 当前型号 | 当前型号 |
SI4164DY-T1-GE3 威世 | 类似代替 | SI4442DY-T1-E3和SI4164DY-T1-GE3的区别 |