对比图
型号 SI4164DY-T1-GE3 SI4442DY-T1-E3
描述 VISHAY SI4164DY-T1-GE3 场效应管, MOSFET, N通道, 30V, 30A, SOIC, 整卷Trans MOSFET N-CH 30V 15A 8Pin SOIC N T/R
数据手册 --
制造商 Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount
引脚数 8 8
封装 SOIC-8 SOIC-8
漏源极电阻 0.0026 Ω 0.0035 Ω
极性 N-Channel N-Channel
耗散功率 6 W 3.5 W
阈值电压 2.5 V 1.5 V
漏源极电压(Vds) 30 V 30 V
漏源击穿电压 - 30.0 V
栅源击穿电压 - ±12.0 V
连续漏极电流(Ids) 30.0 A 22.0 A
上升时间 16 ns 11 ns
下降时间 16 ns 47 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 6 W 1600 mW
针脚数 8 -
输入电容 3545pF @15V -
输入电容(Ciss) 3545pF @15V(Vds) -
长度 5 mm 5 mm
高度 1.55 mm 1.55 mm
封装 SOIC-8 SOIC-8
宽度 4 mm -
工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/06/15