SIHF10N40D-E3参数规格_中文资料_数据手册PDF

SIHF10N40D-E3中文资料参数规格

技术参数

针脚数 3

漏源极电阻 0.5 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 33 W

阈值电压 3 V

漏源极电压Vds 400 V

上升时间 18 ns

输入电容Ciss 526pF @100VVds

下降时间 14 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 33 W

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10.63 mm

宽度 4.83 mm

高度 9.8 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

数据手册

在线购买SIHF10N40D-E3

型号： SIHF10N40D-E3

描述：VISHAY SIHF10N40D-E3 晶体管, MOSFET, N沟道, 10 A, 400 V, 0.5 ohm, 10 V, 3 V

替代型号SIHF10N40D-E3

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
SIHF10N40D-E3 Vishay Semiconductor 威世	当前型号	当前型号
STP11NK40ZFP 意法半导体	功能相似	SIHF10N40D-E3和STP11NK40ZFP的区别

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SIHF10N40D-E3

Vishay Semiconductor 威世

当前型号

STP11NK40ZFP

意法半导体

功能相似