对比图
描述 VISHAY SIHF10N40D-E3 晶体管, MOSFET, N沟道, 10 A, 400 V, 0.5 ohm, 10 V, 3 VN 通道 MDmesh™ SuperMESH™，250V 至 650V，STMicroelectronics### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics
数据手册 --
制造商 Vishay Semiconductor (威世) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole
引脚数 3 3
封装 TO-220-3 TO-220-3
针脚数 3 3
漏源极电阻 0.5 Ω 0.55 Ω
极性 N-Channel N-Channel
耗散功率 33 W 30 W
阈值电压 3 V 3.75 V
漏源极电压(Vds) 400 V 400 V
上升时间 18 ns 20 ns
输入电容(Ciss) 526pF @100V(Vds) 930pF @25V(Vds)
下降时间 14 ns 18 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 33 W 30W (Tc)
额定功率 - 30 W
通道数 - 1
漏源击穿电压 - 400 V
连续漏极电流(Ids) - 9.00 A
额定功率(Max) - 30 W
长度 10.63 mm 10.4 mm
宽度 4.83 mm 4.6 mm
高度 9.8 mm 9.3 mm
封装 TO-220-3 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ)
包装方式 Tube Tube
产品生命周期 - Active
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 - Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC
ECCN代码 - EAR99
香港进出口证 - NLR