VISHAY SI2377EDS-T1-GE3 晶体管, MOSFET, P沟道, -4.4 A, -20 V, 0.05 ohm, -4.5 V, -400 mV
The is a 20VDS TrenchFET® P-channel enhancement-mode Power MOSFET suitable for load switch applications.
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- 100% Rg tested
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- 2000V ESD performance
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- Built in ESD protection with Zener diode
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- -55 to 150°C Operating temperature range
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- Halogen-free
针脚数 3
漏源极电阻 0.05 Ω
极性 P-Channel
耗散功率 1.25 W
上升时间 1 ns
下降时间 2 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1.8 W
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
长度 3.04 mm
宽度 1.4 mm
高度 1.02 mm
封装 SOT-23-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃
包装方式 Cut Tape CT
制造应用 Power Management, Portable Devices, Industrial
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
SI2377EDS-T1-GE3 Vishay Semiconductor 威世 | 当前型号 | 当前型号 |
PMV48XPA 恩智浦 | 功能相似 | SI2377EDS-T1-GE3和PMV48XPA的区别 |