PMV48XPA和SI2377EDS-T1-GE3

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 PMV48XPA SI2377EDS-T1-GE3 SI2367DS-T1-GE3

描述 NXP PMV48XPA MOSFET Transistor, P Channel, -3.5A, -20V, 0.048Ω, -4.5V, -1VVISHAY  SI2377EDS-T1-GE3  晶体管, MOSFET, P沟道, -4.4 A, -20 V, 0.05 ohm, -4.5 V, -400 mVVISHAY  SI2367DS-T1-GE3  晶体管, P沟道

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 - Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 SOT-23 SOT-23-3 TO-236

针脚数 - 3 3

漏源极电阻 0.048 Ω 0.05 Ω 0.066 Ω

极性 P-Channel P-Channel P-Channel

耗散功率 510 mW 1.25 W 960 mW

漏源极电压(Vds) - - -20.0 V

连续漏极电流(Ids) - - -3.80 A

上升时间 - 1 ns 20 ns

输入电容(Ciss) - - 561pF @10V(Vds)

下降时间 - 2 ns 10 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) - 1.8 W 1.7 W

长度 - 3.04 mm 3.04 mm

宽度 - 1.4 mm 1.4 mm

高度 - 1.02 mm 1.02 mm

封装 SOT-23 SOT-23-3 TO-236

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃

包装方式 - Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR)

产品生命周期 Unknown - -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/06/15 -

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