SI1403CDL-T1-GE3参数规格_中文资料_数据手册PDF_引脚图-锐单商城

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SI1403CDL-T1-GE3中文资料参数规格

技术参数

针脚数 6

漏源极电阻 0.116 Ω

极性 P-Channel

耗散功率 900 mW

阈值电压 600 mV

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 0.568 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 SOT-363

外形尺寸

长度 2.05 mm

宽度 1.25 mm

高度 0.9 mm

封装 SOT-363

其他

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

数据手册

在线购买SI1403CDL-T1-GE3

型号： SI1403CDL-T1-GE3

制造商： Vishay Semiconductor 威世

描述：P 通道 MOSFET，8V 至 20V，Vishay Semiconductor

替代型号SI1403CDL-T1-GE3

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