对比图
型号 SI1303DL-T1-E3 SI1403CDL-T1-GE3
描述 VISHAY SI1303DL-T1-E3 晶体管, MOSFET, P沟道, -670 mA, -20 V, 0.36 ohm, -4.5 V, -1.4 VP 通道 MOSFET，8V 至 20V，Vishay Semiconductor
数据手册 --
制造商 Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 6
封装 SOT-323 SOT-363
针脚数 3 6
漏源极电阻 0.36 Ω 0.116 Ω
极性 P-Channel P-Channel
耗散功率 290 mW 900 mW
栅源击穿电压 ±12.0 V -
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃
阈值电压 - 600 mV
耗散功率(Max) - 0.568 W
长度 2.2 mm 2.05 mm
高度 1 mm 0.9 mm
封装 SOT-323 SOT-363
宽度 - 1.25 mm
工作温度 -55℃ ~ 150℃ -
产品生命周期 Unknown -
包装方式 - Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/06/15