SI8473EDB-T1-E1

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SI8473EDB-T1-E1中文资料参数规格
技术参数

针脚数 4

漏源极电阻 0.041 Ω

极性 P-Channel

耗散功率 1.1 W

漏源极电压Vds -20.0 V

连续漏极电流Ids -7.10 A

工作温度Max 150 ℃

封装参数

引脚数 4

封装 TrenchFET

外形尺寸

封装 TrenchFET

其他

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

数据手册

在线购买SI8473EDB-T1-E1
型号: SI8473EDB-T1-E1
描述:VISHAY  SI8473EDB-T1-E1  晶体管, P沟道

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