SI4164DY-T1-GE3

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SI4164DY-T1-GE3概述

VISHAY  SI4164DY-T1-GE3  场效应管, MOSFET, N通道, 30V, 30A, SOIC, 整卷

**Features:

* **Halogen-Free Option Available

* Low-Side Switching

* Low On-Resistance: 5 Ω

* Low Threshold: 0.9 V Typ.

* Fast Switching Speed: 35 ns Typ.

* TrenchFET® Power MOSFETs: 1.5 V Rated

* ESD Protected: 2000 V

**Applications:

**

* Drivers: Relays, Solenoids, Lamps, Hammers, Displays, Memories

* Battery Operated Systems

* Power Supply Converter Circuits

* Load/Power Switching Cell Phones, Pagers


e络盟:
VISHAY  SI4164DY-T1-GE3  MOSFET, N CHANNEL, 30V, 30A, SOIC-8


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 30V 21.5A 8-Pin SOIC N T/R


安富利:
Trans MOSFET N-CH 30V 21.5A 8-Pin SOIC N T/R


富昌:
单 N 沟道 30 V 0.0032 Ohm 表面贴装 功率 Mosfet - SOIC-8


Verical:
Trans MOSFET N-CH 30V 21.5A 8-Pin SOIC N T/R


Newark:
# VISHAY  SI4164DY-T1-GE3  MOSFET Transistor, N Channel, 30 A, 30 V, 0.0026 ohm, 10 V, 1.2 V


SI4164DY-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数

针脚数 8

漏源极电阻 0.0026 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 6 W

阈值电压 2.5 V

输入电容 3545pF @15V

漏源极电压Vds 30 V

连续漏极电流Ids 30.0 A

上升时间 16 ns

输入电容Ciss 3545pF @15VVds

下降时间 16 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 6 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

长度 5 mm

宽度 4 mm

高度 1.55 mm

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

数据手册

在线购买SI4164DY-T1-GE3
型号: SI4164DY-T1-GE3
描述:VISHAY  SI4164DY-T1-GE3  场效应管, MOSFET, N通道, 30V, 30A, SOIC, 整卷
替代型号SI4164DY-T1-GE3
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