SI3417DV-T1-GE3

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SI3417DV-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 2000 mW

输入电容Ciss 1350pF @15VVds

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 2000 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 TSOP-6

外形尺寸

高度 1 mm

封装 TSOP-6

其他

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

数据手册

在线购买SI3417DV-T1-GE3
型号: SI3417DV-T1-GE3
描述:Trans MOSFET P-CH 30V 7.3A 6Pin TSOP T/R

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