SI3851DV-T1-E3

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SI3851DV-T1-E3中文资料参数规格
技术参数

漏源极电阻 200 mΩ

极性 P-Channel

耗散功率 830 mW

漏源极电压Vds -30.0 V

漏源击穿电压 -30.0 V

栅源击穿电压 ±20.0 V

连续漏极电流Ids 1.80 A

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 TSOP

外形尺寸

封装 TSOP

其他

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

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型号: SI3851DV-T1-E3
描述:Trans MOSFET P-CH 30V 1.6A 6Pin TSOP T/R

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