SI2307BDS-T1-GE3

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SI2307BDS-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数

额定功率 750 mW

极性 P-Channel

耗散功率 750 mW

连续漏极电流Ids 3.20 A

上升时间 12.0 ns

输入电容Ciss 380pF @15VVds

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 750 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

高度 1.02 mm

封装 SOT-23-3

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

数据手册

在线购买SI2307BDS-T1-GE3
型号: SI2307BDS-T1-GE3
描述:Trans MOSFET P-CH 30V 2.5A 3Pin SOT-23 T/R

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