SIB457EDK-T1-GE3

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SIB457EDK-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数

漏源极电阻 0.035 Ω

极性 P-Channel

耗散功率 2.4 W

漏源极电压Vds -20.0 V

连续漏极电流Ids -9.00 A

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 2400 mW

封装参数

引脚数 6

封装 SC-75-6

外形尺寸

高度 0.75 mm

封装 SC-75-6

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SIB457EDK-T1-GE3
型号: SIB457EDK-T1-GE3
描述:P通道20 -V (D -S )的MOSFET P-Channel 20-V D-S MOSFET

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