SI4712DY-T1-GE3

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SI4712DY-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数

漏源极电阻 0.013 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 2.5 W

阈值电压 2.5 V

漏源极电压Vds 30 V

连续漏极电流Ids 14.6 A

输入电容Ciss 1084pF @15VVds

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 5 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC

外形尺寸

长度 5 mm

宽度 4 mm

高度 1.55 mm

封装 SOIC

其他

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

数据手册

在线购买SI4712DY-T1-GE3
型号: SI4712DY-T1-GE3
描述:N 通道 MOSFET 加集成式肖特基 SkyFET®,Vishay Semiconductor ### MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor

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