SIR418DP-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数
针脚数 8
漏源极电阻 0.00415 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 5 W
阈值电压 2.4 V
漏源极电压Vds 40 V
连续漏极电流Ids 40.0 A
上升时间 73 ns
输入电容Ciss 2410pF @20VVds
下降时间 12 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 39 W
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SO-8
外形尺寸
长度 6.25 mm
宽度 5.26 mm
高度 1.12 mm
封装 SO-8
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
其他
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
在线购买SIR418DP-T1-GE3
型号： SIR418DP-T1-GE3
描述：VISHAY SIR418DP-T1-GE3 晶体管, MOSFET, N沟道, 40 A, 40 V, 0.00415 ohm, 10 V, 2.4 V
替代型号SIR418DP-T1-GE3
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
SIR418DP-T1-GE3 Vishay Semiconductor 威世 | 当前型号 | 当前型号 |
SI7790DP-T1-GE3 威世 | 功能相似 | SIR418DP-T1-GE3和SI7790DP-T1-GE3的区别 |