SI7790DP-T1-GE3和SIR418DP-T1-GE3

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 SI7790DP-T1-GE3 SIR418DP-T1-GE3 IRLH5034TR2PBF

描述 VISHAY  SI7790DP-T1-GE3  场效应管, MOSFET, N通道, 40V, 50A, SOIC, 整卷VISHAY  SIR418DP-T1-GE3  晶体管, MOSFET, N沟道, 40 A, 40 V, 0.00415 ohm, 10 V, 2.4 VINFINEON  IRLH5034TR2PBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 29 A, 40 V, 2 mohm, 10 V, 1 V

数据手册 ---

制造商 Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 - Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 PowerPAKSO-8 SO-8 PowerVDFN-8

针脚数 8 8 8

漏源极电阻 0.0036 Ω 0.00415 Ω 0.002 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-CH

耗散功率 69 W 5 W 3.6 W

阈值电压 2.5 V 2.4 V 1 V

漏源极电压(Vds) 40 V 40 V 40 V

连续漏极电流(Ids) 50.0 A 40.0 A 29A

上升时间 34 ns 73 ns 54 ns

输入电容(Ciss) - 2410pF @20V(Vds) 4730pF @25V(Vds)

下降时间 28 ns 12 ns 21 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) - 39 W 3.6W (Ta), 156W (Tc)

长度 6.15 mm 6.25 mm 6 mm

宽度 5.15 mm 5.26 mm 5 mm

高度 1.04 mm 1.12 mm 0.83 mm

封装 PowerPAKSO-8 SO-8 PowerVDFN-8

工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ)

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

产品生命周期 - - Obsolete

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free - Lead Free

REACH SVHC版本 2015/06/15 - 2015/12/17

REACH SVHC标准 No SVHC - -

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