SI5441BDC-T1-E3

SI5441BDC-T1-E3图片1
SI5441BDC-T1-E3图片2
SI5441BDC-T1-E3图片3
SI5441BDC-T1-E3概述

P沟道2.5 -V (G -S )的MOSFET P-Channel 2.5-V G-S MOSFET

**Features:

* **Halogen-Free Option Available

* Low-Side Switching

* Low On-Resistance: 5 Ω

* Low Threshold: 0.9 V Typ.

* Fast Switching Speed: 35 ns Typ.

* TrenchFET® Power MOSFETs: 1.5 V Rated

* ESD Protected: 2000 V

**Applications:

**

* Drivers: Relays, Solenoids, Lamps, Hammers, Displays, Memories

* Battery Operated Systems

* Power Supply Converter Circuits

* Load/Power Switching Cell Phones, Pagers


贸泽:
MOSFET 20V 6.1A 2.5W 45mohm @ 4.5V


艾睿:
Trans MOSFET P-CH 20V 4.4A 8-Pin Chip FET T/R


富昌:
单 P沟道 20 V 0.045 Ohms 表面贴装 功率Mosfet - 1206-8 ChipFET


Verical:
Trans MOSFET P-CH 20V 4.4A 8-Pin Chip FET T/R


SI5441BDC-T1-E3中文资料参数规格
技术参数

漏源极电阻 0.036 Ω

耗散功率 1.3 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 1206

外形尺寸

长度 3.1 mm

高度 1.1 mm

封装 1206

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SI5441BDC-T1-E3
型号: SI5441BDC-T1-E3
描述:P沟道2.5 -V (G -S )的MOSFET P-Channel 2.5-V G-S MOSFET

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台