SI4430BDY-T1-GE3

SI4430BDY-T1-GE3图片1
SI4430BDY-T1-GE3图片2
SI4430BDY-T1-GE3图片3
SI4430BDY-T1-GE3图片4
SI4430BDY-T1-GE3图片5
SI4430BDY-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数

针脚数 8

漏源极电阻 0.0037 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 1.6 W

阈值电压 3 V

漏源极电压Vds 30 V

连续漏极电流Ids 20.0 A

上升时间 14 ns

下降时间 18 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 1600 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

高度 1.55 mm

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SI4430BDY-T1-GE3
型号: SI4430BDY-T1-GE3
描述:VISHAY  SI4430BDY-T1-GE3  场效应管, MOSFET, N沟道, 30V, 20A, SOIC

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台