SI7748DP-T1-GE3

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SI7748DP-T1-GE3概述

N通道30 -V ( D- S)的MOSFET与肖特基二极管 N-Channel 30-V D-S MOSFET with Schottky Diode

* SkyFET™ monolithic TrenchFET® power MOSFET and Schottky diode * 100 % Rg and UIS tested


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 30V 23.5A 8-Pin PowerPAK SO T/R


安富利:
Trans MOSFET N-CH 30V 23.5A 8-Pin PowerPAK SO T/R


富昌:
N 沟道 3 0V 0.0048 Ω 92 nC 表面贴装 功率 Mosfet - PowerPAK- SO-8


SI7748DP-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数

极性 N-Channel

漏源极电压Vds 30.0 V

连续漏极电流Ids 50.0 A

上升时间 16 ns

下降时间 16 ns

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SI7748DP-T1-GE3
型号: SI7748DP-T1-GE3
描述:N通道30 -V ( D- S)的MOSFET与肖特基二极管 N-Channel 30-V D-S MOSFET with Schottky Diode

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