SIHB24N65E-E3

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SIHB24N65E-E3中文资料参数规格
技术参数

漏源极电阻 0.12 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 250 W

阈值电压 2 V

漏源极电压Vds 650 V

上升时间 84 ns

下降时间 69 ns

工作温度Max 150 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

数据手册

在线购买SIHB24N65E-E3
型号: SIHB24N65E-E3
描述:VISHAY SIHB24N65E-E3 Power MOSFET, N Channel, 24A, 650V, 0.12Ω, 10V, 2V
替代型号SIHB24N65E-E3
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Vishay Semiconductor 威世

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SIHB24N65E-E3和SIHB24N65E-GE3的区别

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