漏源极电阻 0.12 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 250 W
阈值电压 2 V
漏源极电压Vds 650 V
上升时间 84 ns
下降时间 69 ns
工作温度Max 150 ℃
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
数据手册
SIHB24N65E-E3
Vishay Semiconductor 威世
当前型号
SIHB24N65E-GE3
威世
完全替代