SI8415DB-T1-E1

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SI8415DB-T1-E1中文资料参数规格
技术参数

针脚数 4

漏源极电阻 0.031 Ω

极性 P-Channel

耗散功率 1.47 W

漏源极电压Vds -12.0 V

连续漏极电流Ids -7.30 A

工作温度Max 150 ℃

封装参数

引脚数 4

封装 MICRO FOOT

外形尺寸

封装 MICRO FOOT

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

数据手册

在线购买SI8415DB-T1-E1
型号: SI8415DB-T1-E1
描述:VISHAY  SI8415DB-T1-E1  晶体管, MOSFET, P沟道, -5.3 A, -12 V, 0.031 ohm, -1.8 V, -1 V

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