SI1012X-T1-E3

SI1012X-T1-E3图片1
SI1012X-T1-E3图片2
SI1012X-T1-E3图片3
SI1012X-T1-E3概述

N沟道1.8 -V (G -S )的MOSFET N-Channel 1.8-V G-S MOSFET

**Features:**

* Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Available

* * Low On-Resistance: 2 Ω

* * Low Threshold: 2 V Typ.

* * Low Input Capacitance: 25 pF

* * Fast Switching Speed: 25 ns

* * Low Input and Output Leakage

* * TrenchFET® Power MOSFET

* * 2000 V ESD Protection

**Applications:**

* Direct Logic-Level Interface: TTL/CMOS

* Drivers: Relays, Solenoids, Lamps, Hammers, Display, Memories, Transistors, etc.

* Battery Operated Systems

* Solid State Relays

SI1012X-T1-E3中文资料参数规格
技术参数

漏源极电阻 1.25 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 250 mW

阈值电压 900 mV

漏源极电压Vds 20 V

漏源击穿电压 20 V

栅源击穿电压 ±6.00 V

连续漏极电流Ids 500 mA

工作温度Max 150 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SC-89

外形尺寸

封装 SC-89

其他

包装方式 Cut Tape CT

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

数据手册

在线购买SI1012X-T1-E3
型号: SI1012X-T1-E3
描述:N沟道1.8 -V (G -S )的MOSFET N-Channel 1.8-V G-S MOSFET
替代型号SI1012X-T1-E3
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

SI1012X-T1-E3

Vishay Semiconductor 威世

当前型号

当前型号

SI1012X-T1-GE3

威世

类似代替

SI1012X-T1-E3和SI1012X-T1-GE3的区别

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台