对比图
型号 SI1012X-T1-E3 SI1012X-T1-GE3
描述 N沟道1.8 -V （G -S ）的MOSFET N-Channel 1.8-V (G-S) MOSFETVISHAY SI1012X-T1-GE3 场效应管, MOSFET, N沟道, 20V, 500mA, SC-89
数据手册 --
制造商 Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3
封装 SC-89 SC-89
漏源极电阻 1.25 Ω 0.7 Ω
极性 N-Channel N-Channel
耗散功率 250 mW 250 mW
阈值电压 900 mV 900 mV
漏源极电压(Vds) 20 V 20 V
漏源击穿电压 20 V -
栅源击穿电压 ±6.00 V -
连续漏极电流(Ids) 500 mA 600 mA
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃
针脚数 - 3
工作温度(Min) - -55 ℃
封装 SC-89 SC-89
长度 - 1.7 mm
高度 - 0.8 mm
包装方式 Cut Tape (CT) -
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC -
REACH SVHC版本 2015/06/15 -
工作温度 - -55℃ ~ 150℃