VISHAY SI1304BDL-T1-E3. 场效应管, MOSFET, N沟道, 30V, 900mA, SC-70
**Features:
* **Halogen-Free Option Available
* Low-Side Switching
* Low On-Resistance: 5 Ω
* Low Threshold: 0.9 V Typ.
* Fast Switching Speed: 35 ns Typ.
* TrenchFET® Power MOSFETs: 1.5 V Rated
* ESD Protected: 2000 V
**Applications:
**
* Drivers: Relays, Solenoids, Lamps, Hammers, Displays, Memories
* Battery Operated Systems
* Power Supply Converter Circuits
* Load/Power Switching Cell Phones, Pagers
e络盟:
VISHAY SI1304BDL-T1-E3. 场效应管, MOSFET, N沟道, 30V, 900mA, SC-70
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 30V 0.85A 3-Pin SC-70 T/R
力源芯城:
30V,0.9A,N沟道MOSFET
针脚数 3
漏源极电阻 0.216 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 370 mW
阈值电压 1.3 V
输入电容 100pF @15V
漏源极电压Vds 30 V
连续漏极电流Ids 900 mA
上升时间 30 ns
下降时间 10 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SC-70
长度 2.2 mm
高度 1 mm
封装 SC-70
工作温度 -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Unknown
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
---|---|---|
SI1304BDL-T1-E3 Vishay Semiconductor 威世 | 当前型号 | 当前型号 |
SI1308EDL-T1-GE3 威世 | 功能相似 | SI1304BDL-T1-E3和SI1308EDL-T1-GE3的区别 |
PMF370XN,115 恩智浦 | 功能相似 | SI1304BDL-T1-E3和PMF370XN,115的区别 |