SI1304BDL-T1-E3

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SI1304BDL-T1-E3概述

VISHAY  SI1304BDL-T1-E3.  场效应管, MOSFET, N沟道, 30V, 900mA, SC-70

**Features:

* **Halogen-Free Option Available

* Low-Side Switching

* Low On-Resistance: 5 Ω

* Low Threshold: 0.9 V Typ.

* Fast Switching Speed: 35 ns Typ.

* TrenchFET® Power MOSFETs: 1.5 V Rated

* ESD Protected: 2000 V

**Applications:

**

* Drivers: Relays, Solenoids, Lamps, Hammers, Displays, Memories

* Battery Operated Systems

* Power Supply Converter Circuits

* Load/Power Switching Cell Phones, Pagers


e络盟:
VISHAY  SI1304BDL-T1-E3.  场效应管, MOSFET, N沟道, 30V, 900mA, SC-70


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 30V 0.85A 3-Pin SC-70 T/R


力源芯城:
30V,0.9A,N沟道MOSFET


SI1304BDL-T1-E3中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

漏源极电阻 0.216 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 370 mW

阈值电压 1.3 V

输入电容 100pF @15V

漏源极电压Vds 30 V

连续漏极电流Ids 900 mA

上升时间 30 ns

下降时间 10 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SC-70

外形尺寸

长度 2.2 mm

高度 1 mm

封装 SC-70

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Unknown

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

数据手册

在线购买SI1304BDL-T1-E3
型号: SI1304BDL-T1-E3
描述:VISHAY  SI1304BDL-T1-E3.  场效应管, MOSFET, N沟道, 30V, 900mA, SC-70
替代型号SI1304BDL-T1-E3
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