对比图
型号 SI1304BDL-T1-E3 PMF370XN,115 SI1308EDL-T1-GE3
描述 VISHAY SI1304BDL-T1-E3. 场效应管, MOSFET, N沟道, 30V, 900mA, SC-70NXP PMF370XN,115 晶体管, MOSFET, N沟道, 870 mA, 30 V, 0.37 ohm, 4.5 V, 1 VVISHAY SI1308EDL-T1-GE3 晶体管, MOSFET, N沟道, 1.4 A, 30 V, 0.11 ohm, 10 V, 600 mV
数据手册 ---
制造商 Vishay Semiconductor (威世) NXP (恩智浦) Vishay Semiconductor (威世)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 SC-70 SOT-323-3 SOT-323-3
针脚数 3 3 3
漏源极电阻 0.216 Ω 0.37 Ω 0.11 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 370 mW 560 mW 500 mW
阈值电压 1.3 V 1 V 600 mV
输入电容 100pF @15V - -
漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V
连续漏极电流(Ids) 900 mA 870 mA -
上升时间 30 ns 9.5 ns -
下降时间 10 ns 5.5 ns -
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
输入电容(Ciss) - 37pF @25V(Vds) 105pF @15V(Vds)
耗散功率(Max) - 560mW (Tc) 0.4 W
通道数 - 1 -
额定功率(Max) - 560 mW -
长度 2.2 mm 2.2 mm 2.2 mm
高度 1 mm 1 mm 1 mm
封装 SC-70 SOT-323-3 SOT-323-3
宽度 - 1.35 mm 1.35 mm
工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ) -50℃ ~ 150℃
产品生命周期 Unknown Active -
包装方式 - Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/12/17 2015/06/15