





MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor
**Features:
* **Halogen-Free Option Available
* Low-Side Switching
* Low On-Resistance: 5 Ω
* Low Threshold: 0.9 V Typ.
* Fast Switching Speed: 35 ns Typ.
* TrenchFET® Power MOSFETs: 1.5 V Rated
* ESD Protected: 2000 V
**Applications:
**
* Drivers: Relays, Solenoids, Lamps, Hammers, Displays, Memories
* Battery Operated Systems
* Power Supply Converter Circuits
* Load/Power Switching Cell Phones, Pagers
欧时:
### N 通道 MOSFET,30V 至 50V,Vishay Semiconductor### MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 30V 3.4A 6-Pin TSOP T/R
Verical:
Trans MOSFET N-CH 30V 3.4A 6-Pin TSOP T/R
漏源极电阻 0.048 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 2 W
阈值电压 3 V
漏源极电压Vds 30 V
漏源击穿电压 30 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 3.40 A
上升时间 10 ns
下降时间 7 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1.14 W
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 TSOP
长度 3.05 mm
宽度 1.65 mm
高度 1 mm
封装 TSOP
工作温度 -55℃ ~ 150℃
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
SI3454ADV-T1-E3 Vishay Semiconductor 威世 | 当前型号 | 当前型号 |
SI3456DDV-T1-GE3 威世 | 功能相似 | SI3454ADV-T1-E3和SI3456DDV-T1-GE3的区别 |